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MKS Business Unit Ophir stellt BeamCheck vor

MKS Instruments stellt mit BeamCheck ein neues Strahlprofilmessgerät der Marke Ophir vor, das die präzise Funktion des Lasers in der Additiven Fertigung überprüft. Im Selective Laser Sintering (SLS) oder Selective Laser Melting (SLM) gefertigte Bauteile werden immer höheren mechanische Belastungen ausgesetzt. Gleichzeitig steigen der Anspruch an die Oberflächenqualität und die Auflösung für minimale Wandstärken oder miniaturisierte Bauteile. Durch den Einsatz von BeamCheck lässt sich die Produktqualität der Bauteile deutlich erhöhen, die Ausschussrate sinkt.

BeamCheck ist ein integriertes Lasermessgerät, das alle wichtigen Strahlparameter in der laserbasierten Additiven Fertigung misst: Fokusgröße, Laserleistung, Laserleistungsdichte auf der Bearbeitungsebene sowie Änderungen der Fokusgröße und Leistungsdichte über die Zeit. Christian Dini, Director Global Business Development Ophir, erklärt dazu: „Bei laserbasierten Prozessen der Additiven Fertigung, wie SLS oder SLM, kommt es darauf an, dass die Laserstrahlung konstant über die gesamte Bearbeitungsfläche auf das Material trifft. Nur so ist die Leistungsdichte optimal und das Material lässt sich erfolgreich verarbeiten. BeamCheck stellt fest, ob der Laser die vordefinierte Leistung liefert und ob diese mit dem erwarteten Strahlprofil an die richtige Stelle fokussiert wird.“

BeamCheck kombiniert eine hochauflösende CCD-Kamera für räumliche Messungen mit einem kalibrierten Sensor zur Leistungsmessung, was eine vollständige Analyse der Intensitätsverteilung ermöglicht. Die Kamera befindet sich exakt auf der Bearbeitungsebene, so dass ein präzises Modell der Leistungsdichte erstellt werden kann. Ein Strahlteiler lenkt einen kleinen Prozentsatz des Strahls vom Faserlaser auf die Kamera, während der größte Teil des Strahls auf den integrierten Leistungssensor gelenkt wird. Aus diesen Messungen lassen sich anschließend Fokusgröße und -lage sowie Leistungsdichte ableiten.

Posted by on 28. April 2017.

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Categories: Forschung & Entwicklung

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